肖特基勢壘二極管，又稱熱載流子二極管。利用金屬-半導(dǎo)體(M-S)接觸特性制成，有點(diǎn)接觸型和面結(jié)合型兩種管芯結(jié)構(gòu)。

為了在真空中從金屬或半異體上放出電子，就必須給電子施加一一定的能量，將這個(gè)能量稱為功函數(shù)，不同種類的金屬和半導(dǎo)體擁有各自不同的固有功函敷值。使兩種材料接觸，

電子會從功函數(shù)小的材料向功函數(shù)大的材料方向流動(dòng)。如果使n型半導(dǎo)體與比其功函數(shù)大的金屬材料接觸，則與pn結(jié)情況一樣從半導(dǎo)體流出電子、而在n型半導(dǎo)體中形成耗盡層，產(chǎn)生接觸電勢。

由于耗盡層使得在金屬和半導(dǎo)體的接觸處產(chǎn)生了整流作用，所以稱這樣的整流二極管為肖特基勢壘二極管(Schotky Barrier Diode, SBD)。

另外，當(dāng)n型半導(dǎo)體與比其功函數(shù)小的金屬相接觸時(shí)，由于電子從金屬向半導(dǎo)體的方向流動(dòng)，所以不會形成耗盡層，也不發(fā)生整流作用，成為了所謂的歐姆接觸( ohmic contact)。

SBD是單極型器件，由于不發(fā)生所謂的少數(shù)載流子存儲效應(yīng)，所以電流極性反轉(zhuǎn)時(shí)反向恢復(fù)快，適用于高速開關(guān)。但是，對非常高速的開關(guān)而言，為了使它也形成耗盡層，對應(yīng)接合容量的過渡電流可能會引起些問題。另-方面，正向壓降低也是SBD的優(yōu)點(diǎn)。 

然而，用于高壓的器件制作困難，因此SBD主要限定用于50V以下的低壓高速開關(guān)場合。